部件业务
CVD SIC 是通过化学气相沉积技术制备的碳化硅。 KNJ 利用累积的 CVD SIC 技术，开发出从薄膜到数毫米厚的稳定 Bulk 蒸镀技术确保了稳定的生产工艺。
利用CVD工法生产的产品，具有高温、高压和抗腐蚀性能，主要用于半导体、航空航天和能源产业。 CVD SIC 部件在半导体工艺中可提升耐久性和稳定性，有助于提高收率。
耐蚀性强
耐化学性强
比硅寿命长
未因热变形
适合半导体工艺的高纯度粒子
更高硬度和强度
| Property | KNJ Value | Unit |
|---|---|---|
| Purity | 99.9999 | - |
| Density | 3.21 | g/cm³ |
| Porosity | Negligible | - |
| Elastic Modulus | 466 | GPa |
| Flexural Strength | 506.7 | MPa |
| Vickers Hardness | 2540 | kg/mm² |
| Thermal Conductivity | 267.2 | W/m*K |
| CTE(100~1000°C) | 4~4.5 | 10⁻⁶/K |
| Volume Resistivity | According to customer requirements | Ω*cm |