사업소개
CVD SiC는 화학기상증착 (CVD, Chemical Vapor Deposition) 공법을 사용하여 SiC를 증착시키는 기술입니다.
당사는 지난 수년 간 축적시킨 CVD SiC 증착 기술을 활용하여 박막층착에서부터 수mm 이상의 두꺼운 Bulk 형태로
증착시킬 수 있는 기술을 개발하여 안정적인 생산 공정을 확보했습니다.
CVD 공법으로 생산되는 제품으로 고온, 고압, 그리고 화학적 부식 환경에서도 뛰어난 내구성을 제공하는 고성능 소재로 반도체, 항공우주 및 에너지 산업에서 널리 사용되고 있습니다. 특히, 반도체 공정에서 사용되는 CVD SiC 부품은 높은 내구성과 안정성을 제공하여, 공정 수율을 개선하는 데 기여하고 있습니다.
높은 내식성
높은 내화학성
Si 대비 긴 수명
열 변형 없음
반도체 공정에 적합한
고순도 입자
뛰어난 경도와 강도
| Property | KNJ Value | Unit |
|---|---|---|
| Purity | 99.9999 | - |
| Density | 3.21 | g/cm³ |
| Porosity | Negligible | - |
| Elastic Modulus | 466 | GPa |
| Flexural Strength | 506.7 | MPa |
| Vickers Hardness | 2540 | kg/mm² |
| Thermal Conductivity | 267.2 | W/m*K |
| CTE(100~1000°C) | 4~4.5 | 10⁻⁶/K |
| Volume Resistivity | According to customer requirements | Ω*cm |
